鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐是一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及知名科研團隊，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。

鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	鹵素?zé)?/span>RTP立式快速退火爐
產(chǎn)品型號	CY-RTP1000-Φ200-300-V-T
基片尺寸	8英寸
基片基座	石英針（可選配SiC涂層石墨基座）
溫度范圍	150-1250℃
加熱速率	10-150℃/S
溫度均勻性	≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
溫度控制精度	≤ ±3℃
溫度重復(fù)性	≤ ±3℃
真空度	5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
氣路供應(yīng)	標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路）
退火持續(xù)時間	≥35min@1250℃
溫度控制	快速數(shù)字PID控制
尺寸	900mm*650mm*1600mm