該二維材料生長設備由預熱爐、反應爐，真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)以及軌道支架五部分組成。前端配的預熱爐能夠用來預熱蒸發(fā)固態(tài)源，反應爐能夠提供反應所需的熱環(huán)境。兩臺電爐均安裝在滑軌支架上，可以實現(xiàn)快速升降溫，提升實驗效率。爐管內配有熱電偶測溫，可以準確控制反應條件。所有電路均采用高清全彩觸摸屏控制，操作簡單直觀易于上手。

       供氣系統(tǒng)采用兩路質量流量計，流量控制精密，操作簡單直觀；真空系統(tǒng)采用高品質雙極旋片真空泵，真空度可達1.0E-1Pa，完全滿足CVD晶體生長實驗的需要。

二維硫化鉬生長設備用途：

       本產(chǎn)品主要應用于二維材料的CVD法生長實驗，尤其適合二維硫化鉬的制備。

二維硫化鉬生長設備技術參數(shù)：

預熱爐	產(chǎn)品型號	CY-O1200-100I-T-S
	爐膛長度	300mm
	加熱區(qū)長	200mm
	恒溫區(qū)長	100mm
	工作溫度	0～1100℃
	控溫精度	±1℃
	控溫模式	30段或50段程序控溫
	顯示模式	LCD（高清全彩觸摸屏）
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
單溫區(qū)管式爐	產(chǎn)品型號	CY-O1200-100I-T
	爐膛長度	440mm
	加熱區(qū)長	400mm
	恒溫區(qū)長	200mm
	工作溫度	0～1100℃
	控溫精度	±1℃
	控溫模式	30段或50段程序控溫
	顯示模式	LCD（高清全彩觸摸屏）
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
爐管	爐管材質	高純石英
	爐管長度	φ100mm x 1800mm
	密封方式	304不銹鋼真空水冷法蘭
	法蘭接口	1/4英寸卡套接頭
供氣系統(tǒng)	兩路質子流量計	北京七星華創(chuàng)，質子流量計
	流量范圍	MFC1量程：0~200SCCM  MFC2量程：0~200SCCM
	測量精度	±1.5%F.S
	重復精度	±0.2%FS
	線性精度	±1%F.S.
	響應時間	≤4s
	工作壓力	-0.15Mpa~0.15Mpa
	流量控制	LED高亮數(shù)碼管顯示，按鍵調節(jié) 每路氣體含有針閥單獨控制
	進氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
	出氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
	連接方式	雙卡套接頭
	工作溫度	5~45℃
	氣體預混	配氣體預混裝置
排氣系統(tǒng)	機械泵	旋片泵
	抽氣速率	4L/S
	排氣接口	KF16
	真空測量	電阻規(guī)
	極限真空	1.0E-1Pa
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
	抽氣接口	KF16
軌道	軌道長度	1.8m~2m 能實現(xiàn)兩個爐子一個爐位長度的滑動，實現(xiàn)快速升降溫

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